Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen.

Intro
1 Kapitel: Einführung
1.1 Motivation
1.2 Ziel und Aufbau der Arbeit
2 Kapitel: Grundlagen der AlGaN/GaN-HEMTs
2.1 Materialeigenschaften von GaN und AlGaN/GaN Heterostruktur
2.2 AlGaN/GaN HEMT: Aufbau, Funktion und typische Kennlinien
3 Kapitel: Designkonzept für LE-Transistoren
3.1 Grundlagen des Designs
3.2 Anforderungen an GaN-Transistoren für die Leistungselektronikanwendungen
3.3 Designkonzept der GaN-Transistoren für Leistungselektronikanwendungen
4 Kapitel: Prozessdetails und Messmethoden
4.1 Herstellung der Transistoren und Teststrukturen
4.2 Elektrische Charakterisierung
5 Kapitel: Design für hohe Spannung
5.1 AlGaN/GaN HEMT im gesperrten Zustand
5.2 Designoptimierung für hohe Durchbruchfestigkeit
5.3 Zusammenfassung des Kapitels 5
6 Kapitel: Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit
6.1 Thermische Effekte im AlGaN/GaN HEMT
6.2 Elektrisch-thermische Charakterisierung des Al- GaN/GaN HEMTs
6.3 Designstudie (ANSYS)
6.4 Zusammenfassung des Kapitels 6
7 Kapitel: LE-Transistoren - Design und Charakterisierung
7.1 Optimiertes Transistordesign
7.2 Charakterisierung der LE-Transistoren
7.3 Zusammenfassung des Kapitels 7
8 Kapitel: Zusammenfassung und Ausblick
8.1 Zusammenfassung und Fazit
8.2 Ausblick
Quellenverweis
Abbildungsverzeichnis
Tabellenverzeichnis.